logo
Να στείλετε μήνυμα

Silicon Carbide Vacuum Sintering Furnace Internal Circulation Cooling Stable

Διαπραγματεύσιμος
MOQ
Διαπραγματεύσιμος
τιμή
Χαρακτηριστικά Γκαλερί Περιγραφή προϊόντος Αίτηση Α Παραπομπή:
Χαρακτηριστικά
Προδιαγραφές
Ονομα: Φούρνος συγκόλλησης υπό κενό
Χαρακτηριστικό: Εύκολη λειτουργία
Διάσταση (l*w*h): έθιμο
Μέθοδος ψύξης: Ψύξη εσωτερικής κυκλοφορίας
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: 2450 ° C
Εφαρμογή: Καρβίδιο πυριτίου
Επισημαίνω:

industrial vacuum furnace

,

high vacuum furnace

Βασικές πληροφορίες
Τόπος καταγωγής: ΚΙΝΑ
Μάρκα: OEM
Πιστοποίηση: CE Certification
Αριθμό μοντέλου: ΚΑΕ
Όροι πληρωμής και αποστολής
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Διαπραγματεύσιμος
Συσκευασία λεπτομέρειες: Καρτόνι, παλέτα, ξύλινη θήκη ή σύμφωνα με τις απαιτήσεις της συσκευασίας του πελάτη
Χρόνος παράδοσης: 30 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: Κατάθεση 30% + 70% T/T πριν από την αποστολή
Δυνατότητα προσφοράς: 20 σύνολα το μήνα
Περιγραφή προϊόντος

Silicon Carbide Vacuum Sintering Furnace Internal Circulation Cooling

 

Vacuum Sintering Furnace Application:

 

Vacuum Sintering Furnace Mainly used for recrystallization of silicon carbide

 

Main technical performance and indicators

 

Maximum operating temperature: 2450 ° C

Common temperature: 2400 ° C

Heating method: induction heating

Working gas in the furnace: nitrogen argon

Temperature uniformity: ≤ ± 10 ° C

Temperature control accuracy: ±1 °C

According to the needs of the sintering process time, multiple electric furnaces can be arranged in a single power supply, and the heating and cooling of the individual furnaces can be respectively performed to achieve continuous operation.

Temperature measurement: WRe5/26 thermocouple (0-1700 °C) + US RATEK dual colorimetric infrared thermometer (1000-3200 ° C); US RATEK monochrome infrared thermometer (300-1100 ° C) + US RATEK double ratio Color infrared thermometer (1000-3200 ° C)

Temperature control: PID intelligent program control and manual control

Superior process performance, making product quality a new step

The silicon carbide sintering furnace has excellent process performance, and the produced product has uniform particles, complete reaction, high carbon content and good quality;

The device adopts multi-channel data acquisition and displays and operates on the man-machine interface. The operating parameters are clear at a glance, the operation is simple, and the labor intensity is low;

The device has data recording and dumping functions, and the data can be viewed through the historical curve and can be transferred to the mobile storage medium;

Energy-saving, special coil and insulation structure, stable power output and high electrical efficiency.

 

Volume (L) 192 350 484 1920
Rated temperature (°C) 2400 2400 2400 2400
Limit temperature (°C) 2450 2450 2450 2450
Effective heating zone (mm) 400X400X1200 500X500X1400 550X550X1600 800X800X3000
Power (KW) 150 250 350 550
Frequency (HZ) 1500 1000 1000 1000
Temperature control method Japanese island electric thermostat
heating method Induction heating
Vacuum system Spool valve vacuum pump + Roots vacuum pump
Sintering atmosphere N2, Ar2, etc.
Rated power supply voltage (V) 380
Rated heating voltage (V) According to the design, configure the transformer
Vacuum limit (pa) 40 (vacuum cold state)
ΕΛΑΤΕ ΣΕ ΕΠΑΦΗ ΜΕ ΤΙΣ ΗΠΑ
Πρόσωπο επικοινωνίας : Mr. Puooedr
Τηλεφώνημα : +8618812345678
Φαξ : 86-0731-189293213-12
Άλλοι χαρακτήρες(20/3000)